製造零件編號

Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 7.4 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1

RS庫存編號:: 222-4851
製造零件編號:: IMBF170R650M1XTMA1
製造商:: Infineon

Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 7.4 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1

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製造零件編號:: IMBF170R650M1XTMA1
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1700V
	Package Type	TO-263
	Series	IMBF1
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	650mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1700V
	Package Type TO-263
	Series IMBF1
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 650mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IMBF170R650M1XTMA1

The Infineon CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC-link voltages 600 V up to 1000 V in numerous power applications.

Optimized for fly-back topologies

Extremely low switching loss

12 V / 0 V gate-source voltage compatible with fly-back controllers

Fully controllable dV/dt for EMI optimization

SMD package with enhanced creepage and clearance distances, > 7 mm

Infineon IMBF1 Type N-Channel MOSFET, 7.4 A, 1700 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IMBF170R650M1XTMA1

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