製造零件編號

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin TO-263

RS庫存編號:: 218-3097
製造零件編號:: IRF6215STRLPBF
製造商:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin TO-263

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 卷，共 800 件）*

TWD41,120.00

(不含稅)

TWD43,176.00

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

暫時缺貨

從 2027年1月27日發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每卷*
800 - 800	TWD51.40	TWD41,120.00
1600 +	TWD50.30	TWD40,240.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 218-3097
製造零件編號:: IRF6215STRLPBF
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	290mΩ
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	44nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Width	9.65 mm
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 13A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 290mΩ
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 44nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Width 9.65 mm
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF6215STRLPBF

The Infineon IRF series single P-Channel power MOSFET. This MOSFET utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is suitable for high current applications.

Fast switching

P-channel

175°C Operating Temperature

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin TO-263

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

相關連結