製造零件編號

Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK58E06N1

RS庫存編號:: 168-7779
製造零件編號:: TK58E06N1
製造商:: Toshiba

Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK58E06N1

此圖片僅供參考，請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計（1 管，共 50 件）*

TWD1,715.00

(不含稅)

TWD1,801.00

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

暫時缺貨

從 2026年6月04日發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每管*
50 - 200	TWD34.30	TWD1,715.00
250 +	TWD30.90	TWD1,545.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 168-7779
製造零件編號:: TK58E06N1
製造商:: Toshiba

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	105A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-220
	Series	TK
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	46nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.16mm
	Height	15.1mm
	Width	4.45 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 105A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-220
	Series TK
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.16mm
	Height 15.1mm
	Width 4.45 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 105 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK58E06N1

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

MOSFET Transistors, Toshiba

相關連結