製造零件編號

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S

RS庫存編號:: 133-2796
製造零件編號:: TK11P65W,RQ(S
製造商:: Toshiba

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S

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RS庫存編號:: 133-2796
製造零件編號:: TK11P65W,RQ(S
製造商:: Toshiba

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Toshiba
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	TO-252
	Series	DTMOSIV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	440mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.7V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	6.1 mm
	Length	6.6mm
	Height	2.3mm
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Toshiba
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type TO-252
	Series DTMOSIV
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 440mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.7V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 6.1 mm
	Length 6.6mm
	Height 2.3mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: JP

Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 TK11P65W,RQ(S

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MOSFET Transistors, Toshiba

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