IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN36N100

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RS庫存編號:
193-795
製造零件編號:
IXFN36N100
製造商:
IXYS
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品牌

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

240mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

380nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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