製造零件編號

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS庫存編號:: 215-6646
製造零件編號:: IHW50N65R5XKSA1
製造商:: Infineon

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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RS庫存編號:: 215-6646
製造零件編號:: IHW50N65R5XKSA1
製造商:: Infineon

規格

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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	282 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 80 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 282 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW50N65R5XKSA1

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW50N65R5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

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