製造零件編號

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

RS庫存編號:: 215-6636
製造零件編號:: IHW20N135R5XKSA1
製造商:: Infineon

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

可享批量折扣

小計（1 包，共 5 件）*

TWD505.00

(不含稅)

TWD530.25

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

有庫存

25 件準備從其他地點送貨
加上 215 件從 2026年3月03日起發貨

**需要更多嗎？**輸入您需要的數量，然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。

單位	每單位	每包*
5 - 5	TWD101.00	TWD505.00
10 - 95	TWD98.80	TWD494.00
100 - 245	TWD96.00	TWD480.00
250 - 495	TWD93.80	TWD469.00
500 +	TWD91.20	TWD456.00

* 參考價格

RS庫存編號:: 215-6636
製造零件編號:: IHW20N135R5XKSA1
製造商:: Infineon

規格

產品概覽和技術數據資料表

法例與合規

產品詳細資訊

透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。

選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1350 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation	310 W
	Package Type	PG-TO247-3
	Pin Count	3

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 40 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1350 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±25 V
	Maximum Power Dissipation 310 W
	Package Type PG-TO247-3
	Pin Count 3

Datasheet-IHW20N135R5XKSA1

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IHW20N135R5XKSA1 IGBT, 40 A 1350 V, 3-Pin PG-TO247-3

訂單超過 $1,300.00 免費送貨

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.

相關連結