Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 72 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-262 IRFSL4127PBF

此圖片僅供參考,請參閲產品詳細資訊及規格

可享批量折扣

小計(1 包,共 2 件)*

TWD331.00

(不含稅)

TWD347.56

(含稅)

Add to Basket
選擇或輸入數量
暫時缺貨
  • 1,000 件從 2026年2月05日 起裝運發貨
  • 加上 1,000 件從 2026年2月12日 起發貨
**需要更多嗎?**輸入您需要的數量,然後按一下「查看送貨日期」以查詢更多庫存和送貨詳細資訊。
單位
每單位
每包*
2 - 48TWD165.50TWD331.00
50 - 98TWD129.00TWD258.00
100 - 248TWD115.50TWD231.00
250 - 498TWD114.00TWD228.00
500 +TWD105.50TWD211.00

* 參考價格

包裝方式:
RS庫存編號:
262-6772
製造零件編號:
IRFSL4127PBF
製造商:
Infineon
透過選取一個或多個屬性來查找類似產品。
選取全部

品牌

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

72A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-262

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET provides benefits such as improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness and fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

相關連結