製造零件編號

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS庫存編號:: 228-2903
製造零件編號:: SiR510DP-T1-RE3
製造商:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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RS庫存編號:: 228-2903
製造零件編號:: SiR510DP-T1-RE3
製造商:: Vishay

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	54nC
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 126A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 54nC
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SiR510DP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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