製造零件編號

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

RS庫存編號:: 220-7376
製造零件編號:: IPB019N08N3GATMA1
製造商:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS 3
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET & Diode
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS 3
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

The Infineon OptiMOS is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Optimized technology for DC-DC converters

Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)

Superior thermal resistance

Dual sided cooling

Low parasitic inductance

Low profile (<0,7mm)

N-channel, normal level

Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET & Diode, 180 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB019N08N3GATMA1

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