Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V, 8-Pin Module, Panel

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RS庫存編號:
273-7360
製造零件編號:
DDB6U75N16W1RBOMA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

69A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

335W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Pin Count

8

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC61140, EN61140

Height

16.4mm

Length

62.8mm

Width

33.8 mm

Automotive Standard

No

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance

Al2O3 internal isolation

Total power dissipation 335W

15 A continuous DC forward current

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