製造零件編號

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

RS庫存編號:: 244-5835
製造零件編號:: FP50R12KE3BOSA1
製造商:: Infineon

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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RS庫存編號:: 244-5835
製造零件編號:: FP50R12KE3BOSA1
製造商:: Infineon

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	75A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	280W
	Number of Transistors	7
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	FP50R12KE3
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 75A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 280W
	Number of Transistors 7
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series FP50R12KE3
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - FP50R12KE3BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)

Gate-emitter peak voltage + /- 20 V

Collector-emitter saturation voltage 2.30 V

Gate-emitter leakage current 400 nA

Infineon FP50R12KE3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V

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