Infineon IGBT Module, 150 A 1200 V

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RS庫存編號:
244-5407
製造零件編號:
FS150R12KT4B11BOSA1
製造商:
Infineon
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品牌

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

150A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

750W

Number of Transistors

6

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

FS

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.35 nF

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