製造零件編號

Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD

RS庫存編號:: 222-4797
製造零件編號:: FF900R12ME7B11BOSA1
製造商:: Infineon

Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD

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RS庫存編號:: 222-4797
製造零件編號:: FF900R12ME7B11BOSA1
製造商:: Infineon

規格

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法例與合規

產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	900 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	20V
	Maximum Power Dissipation	20 mW
	Configuration	Dual
	Package Type	AG-ECONOD
	Channel Type	N
	Transistor Configuration	Common Emitter

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 900 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage 20V
	Maximum Power Dissipation 20 mW
	Configuration Dual
	Package Type AG-ECONOD
	Channel Type N
	Transistor Configuration Common Emitter

Datasheet - FF900R12ME7B11BOSA1

The Infineon EconoDUAL™ 3 1200 V, 900 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.

Highest power density
Best-in-class VCE sat
Tvj op = 175°C overload
Improved terminals
Optimized creepage distance for 1500 V PV applications

Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 Dual IGBT, 900 A 1200 V AG-ECONOD

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