製造零件編號

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

RS庫存編號:: 215-6657
製造零件編號:: IKD15N60RATMA1
製造商:: Infineon

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

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RS庫存編號:: 215-6657
製造零件編號:: IKD15N60RATMA1
製造商:: Infineon

規格

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產品詳細資訊

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選取全部	屬性	值
	品牌	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	250 W
	Package Type	PG-TO252-3
	Pin Count	3

	選取全部
	品牌 Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 30 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 250 W
	Package Type PG-TO252-3
	Pin Count 3

Datasheet-IKD15N60RATMA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKD15N60RATMA1 IGBT, 30 A 600 V, 3-Pin PG-TO252-3

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