分離式半導體 MOSFET 模組與電晶體 - 包括 SiC530 30A VRPowerR 整合式功率級,比獨立式解決方案縮小 45% 體積 高電流密度表面黏著整流器,極扁型採用 Trench MOS Schottky 技術 瞬變電壓抑制器 - 扁形、低漏電流及非常快速反應時間 查看范围